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TO247 Gen.3 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明


瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明


ProductVRIFVF(typ)QCPkg. TypeDatasheet
Number(V)(A)(V)(nC)

H3D065E020

650V

 28A@Tc= 110℃

1.5

37

TO247

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 H3D065E030*

650V

41A@Tc= 110℃

1.5

33

TO-247-3L

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H3D065E040

650V

20A@Tc=135°C

1.5

87

TO247

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H3D065F020*

650V

20A@Tc=135°C

1.5

43.5

TO247-3L

download

H3D065G020*

650V

27A@Tc=110°C

1.5

43.5

TO247-2L

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H3S065J040

650V

40A@Tc=36°C

1.65

120

TO247-2L

download

H3D120E020

1200V

30A@Tc= 110℃

1.55

43

TO247

download

H3D120E030

1200V

30A@Tc=141°C

1.55

144

TO247

download

H3D120J030

1200V

40A@Tc= 110℃

1.55

142

TO247

download

H3S065E016

650V

20A@Tc= 135℃

1.4

37

TO247

download

H3S065E020

650V

24A@Tc= 135℃

1.42

54.6

TO247

download

H3S065G020

650V

20A@Tc=144°C

1.4

55

TO247

download

H3S065J040*

650V

42A@Tc=135°C

1.45

117

TO247

download

H3S065F040*

650V

43A@Tc=135°C

1.4

110

TO247

download

H3S065G040*

650V

40A@Tc=139°C

1.4

110

TO247

download

H3S120J010*

1200V

14A@Tc=135°C

1.48

49

TO247

download

H3S120E010

1200V

10A@Tc=153°C

1.48

46

TO247

download

H3S120E016

1200V

16A@Tc=149°C

1.45

72

TO247

download

H3S120E020

1200V

20A@Tc=154°C

1.44

112

TO247

download

H3S120E025*

1200V

31A@Tc=135°C

1.45

72

TO247

download

H3S120E040

1200V

30A@Tc=154°C

1.5

212

TO247

download

H3S120G030

1200V

41A@Tc= 135℃

1.75

197

TO247

download

H3S120G020

1200V

20A@Tc= 144℃

1.5

106

TO247

download

H3D120G010

1200V

10A@Tc=138°C

1.6

36

TO247-2L

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备注


*号产品现未批量生产,规格书将会持续更新。