欢迎来到上海瀚薪科技有限公司官网!

TO252 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

0.00
0.00
  

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明


瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明



Product VR IF VF(typ) QC Pkg. Type Datasheet
Number (V) (A) (V) (nC)
H2S060S002 650V 3A@Tc= 135℃ 1.5 7 TO252 download
H2S060S004 650V 5A@Tc= 135℃ 1.5 10.5 TO252 download
H2S060S006 650V 7.5A@Tc= 135℃ 1.5 13 TO252 download
H2S060S008 650V 9.5A@Tc= 135℃ 1.5 16 TO252 download
H2S060S010 650V 11A@Tc= 135℃ 1.5 19 TO252 download
H2S120S002 1200V 4A@Tc= 135℃ 1.5 11 TO252 download
H2S120S005 1200V 7.5A@Tc= 135℃ 1.55 14 TO252 download
H2S120S008*
1200V
8A@Tc= 145℃
1.5
16
TO252
download
H2S120S010 1200V 16A@Tc= 135℃ 1.5 38 TO252 download



备注


*号产品现未批量生产,规格书将会持续更新。