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TO252 Gen.3 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明
瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性，提升系统效率取得更优异的性能，此外，第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性，可承受更高的浪涌电流，以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明
Product VR IF VF(typ) QC Pkg. Type Datasheet
Number (V) (A) (V) (nC)
H3D065S006 650V  8.5A@Tc= 110℃ 6A@Tc= 139℃ 1.5 13 TO252 download
H3D065K006 download
H3D065S008 650V 11A@Tc= 110℃ 8A@Tc= 134℃ 1.5 15 TO252 download
H3D065K008 download
H3S120S002 1200V 4A@Tc= 135℃ 2A@Tc= 162℃ 1.35 18 TO252 download
H3S120S005 1200V 6.5A@Tc= 135℃ 5A@Tc= 149℃ 1.48 23 TO252 download
H3S120S010 1200V 11.4A@Tc= 135℃ 10A@Tc= 143℃ 1.44 55 TO252 download
H2S060S002 650V 3A@Tc= 135℃ 2A@Tc= 157℃ 1.5 7 TO252 download
H2S060K002 download
H2S060S004 650V 5A@Tc= 135℃ 4A@Tc= 146℃ 1.5 10.5 TO252 download
H2S060K004 download
H2S060S006 650V 7.5A@Tc= 135℃ 6A@Tc= 146℃ 1.5 13 TO252 download
H2S060K006 download
H2S060S008 650V 9.5A@Tc= 135℃ 8A@Tc= 145℃ 1.5 16 TO252 download
H2S060K008 download
H2S060S010 650V 11A@Tc= 135℃ 10A@Tc= 141℃ 1.5 19 TO252 download
H2S120S002 1200V 4A@Tc= 135℃ 2A@Tc= 165℃ 1.5 11 TO252 download
H2S120S005 1200V 7.5A@Tc= 135℃ 5A@Tc= 156℃ 1.55 14 TO252 download
H2S120S010 1200V 16A@Tc= 135℃ 10A@Tc= 156℃ 1.5 38 TO252 download