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TO263 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明
瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明


ProductVRIFVF(typ)QCPkg. TypeDatasheet
Number(V)(A)(V)(nC)
H2S060T004650V6.5A@Tc= 135℃1.510.5TO263download
H2S060U004download
H2S060T006650V9A@Tc= 135℃1.513TO263download
H2S060U006download
H2S060T008650V10A@Tc= 135℃1.516TO263download
H2S060U008download
H2S060T010650V12A@Tc= 135℃1.519TO263download
H2S060U010download
H2S065T015
650V
15A@Tc=147°C
1.45
36
TO263
download
H2S065T020
650V
20A@Tc=135°C
1.5
45
TO263
download
H2S120T0101200V16A@Tc= 135℃1.538TO263download
H2S120U010download
H2S120T0201200V26A@Tc= 110℃1.548TO263download
H2S120T0301200V40A@Tc= 110℃1.593TO263download