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TO263 Gen.3 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明
瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明
Product VR IF VF(typ) QC Pkg. Type Datasheet
Number (V) (A) (V) (nC)
H3D065T004 650V  7.5A@Tc= 110℃ 4A@Tc= 151℃ 1.5 9 TO263 donwload
H3D065U004 donwload
H3D065T006 650V 10.5A@Tc= 110℃ 6A@Tc= 149℃ 1.5 13 TO263 donwload
H3D065U006 donwload
H3D065T008 650V 13A@Tc= 110℃ 8A@Tc= 146℃ 1.5 15 TO263 donwload
H3D065U008 donwload
H3D065T010 650V 16A@Tc= 110℃ 10A@Tc= 146℃ 1.5 18.5 TO263 donwload
H3D065U010 donwload
H3D065T012 650V 18A@Tc= 110℃ 12A@Tc= 141℃ 1.5 27.3 TO263 donwload
H3D065U012 donwload
H3D065T020 650V 26.5A@Tc= 110℃ 20A@Tc= 133℃ 1.5 43.5 TO263 donwload
H3D065U020 donwload
H2S060T002 650V 4.5A@Tc= 135℃ 2A@Tc= 164℃ 1.5 7 TO263 donwload
H2S060U002 donwload
H2S060T004 650V 6.5A@Tc= 135℃ 4A@Tc= 157℃ 1.5 10.5 TO263 donwload
H2S060U004 donwload
H2S060T006 650V 9A@Tc= 135℃ 6A@Tc= 154℃ 1.5 13 TO263 donwload
H2S060U006 donwload
H2S060T008 650V 10A@Tc= 135℃ 8A@Tc= 146℃ 1.5 16 TO263 donwload
H2S060U008 donwload
H2S060T010 650V 12A@Tc= 135℃ 10A@Tc= 145℃ 1.5 19 TO263 donwload
H2S060U010 donwload
H2S120T010 1200V 16A@Tc= 135℃ 10A@Tc= 157℃ 1.5 38 TO263 donwload
H2S120U010 donwload
H2S120T020 1200V 26A@Tc= 110℃ 20A@Tc= 133℃ 1.5 48 TO263 donwload
H2S120T030 1200V 40A@Tc= 110℃ 30A@Tc= 138℃ 1.5 93 TO263 donwload