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TO263 Gen.3 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明


瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明


ProductVRIFVF(typ)QCPkg. TypeDatasheet
Number(V)(A)(V)(nC)
H3D065T004650V 7.5A@Tc= 110℃1.59TO263download
H3D065U004download

H3D065T005

650V

 9A@Tc= 110℃

1.5

1.8

TO263

download

H3D065T005

download

H3D065T006650V10.5A@Tc= 110℃1.513TO263download
H3D065U006download
H3D065T008650V13A@Tc= 110℃1.515TO263download
H3D065U008download
H3D065T010650V16A@Tc= 110℃1.518.5TO263 download
H3D065U010download
H3D065T012650V18A@Tc= 110℃1.527.3TO263download
H3D065U012download
H3D065T020650V26.5A@Tc= 110℃1.543.5TO263download
H3D065U020download
H3S065T004
650V
4A@Tc=156°C
1.4V
12nC
TO263
download
H3S065T006
650V
6A@Tc=156°C
1.4V
14.7nC
TO263
download
H3S065T008
650V
8A@Tc=153°C
1.38V
19nC
TO263
download
H3S065T010
650V
10A@Tc=150°C
1.42V
27.3nC
TO263
download
H3S065T012
650V
12A@Tc=150°C
1.38V
33nC
TO263
download
H3S065T012
650V
15A@Tc=149°C
1.38V
43.5nC
TO263
download
H3S065T020
650V
20A@Tc=144°C
1.4V
55nC
TO263
download
H3S120T005
1200V5A@Tc=158°C
1.48V
24nC
TO263
download
H3S120T010
1200V
10A@Tc=154°C
1.42V
56nC
TO263
download
H3S120T012
1200V
12A@Tc=151°C
1.42V
72nC
TO263
download
H3S120T020
1200V
20A@Tc=140°C
1.5V
106nC
TO263
download
H4S120T005
1200V
9.7A@Tc=135°C
1.44V
24nC
TO263-2L
download
H4S120U005
1200V
5A@Tc=161°C
1.44V
24nC
TO263-2L-1NC
download