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TO220-FP SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明
瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明

Product VR IF VF(typ.) (V) QC Pkg. Type Datasheet
Number (V) (A) @25℃ @175℃ (nC)
H3S065X004 650V 4A@Tc= 142℃ 1.41 1.59 12 TO-220-FP donwload
H3S065X006 650V 6A@Tc= 135℃ 1.38 1.56 14.7 TO-220-FP donwload
H3S065X008 650V 8A@Tc= 135℃ 1.38 1.59 18.5 TO-220-FP donwload
H3S065X010 650V 10A@Tc= 135℃ 1.42 1.63 27.3 TO-220-FP donwload
H2S060V002 650V 2A@Tc= 131℃ 1.5 1.55 7 TO-220-FP donwload
H2S060V004 650V 4A@Tc= 115℃ 1.5 1.9 10.5 TO-220-FP donwload
H2S060V006 650V 6A@Tc= 99℃ 1.45 1.8 13 TO-220-FP donwload
H2S060X008 650V 8A@Tc= 126℃ 1.45 1.8 16 TO-220-FP donwload
H2S060X010 650V 10A@Tc= 118℃ 1.5 1.9 19 TO-220-FP donwload