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TO220-FP SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明


瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明


Product VR IF VF(typ.) (V) QC Pkg. Type Datasheet
Number (V) (A) @25℃ @175℃ (nC)
H2S060V002*650V 2A@Tc= 131℃ 1.5 1.55 7 TO-220-FP download
H2S060V004 650V 4A@Tc= 115℃ 1.5 1.9 10.5 TO-220-FP download
H2S060V006 650V 6A@Tc= 99℃ 1.45 1.8 13 TO-220-FP download
H2S060V020*650V 20A@Tc= 58℃ 1.9 2.245TO-220-FP download
H2S060X008 650V 8A@Tc= 126℃ 1.45 1.8 16 TO-220-FP download
H2S060X010 650V 10A@Tc= 118℃ 1.5 1.9 19 TO-220-FP download
H2S120X010
1200V
10A@Tc= 52℃
1.5
2.2
38
TO-220-FP
download


备注


*号产品现未批量生产,规格书将会持续更新。