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TO220 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明
瀚薪科技第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明

ProductVRIFVF(typ.) (V)QCPkg. TypeDatasheet
Number(V)(A)@25℃@175℃(nC)
H2S060H002650V4.5A@Tc= 135℃1.51.97TO220download
H2S060H004650V6.5A@Tc= 135℃1.51.810.5TO220download
H2S060H006650V8.5A@Tc= 135℃1.51.913TO220download
H2S060H008650V10A@Tc= 135℃1.451.816TO220download
H2S060H010650V12A@Tc= 135℃1.51.919TO220download
H2S065H015650V19A@Tc= 135℃1.451.8536TO220download
H2S065H020650V27A@Tc= 110℃1.51.945TO220download
H2S120H0021200V5A@Tc= 135℃1.52.311TO220download
H2S120H0051200V7A@Tc= 135℃1.552.414TO220download
H2S120H0081200V15A@Tc= 135℃1.41.932TO220download
H2S120H0101200V15A@Tc= 135℃1.52.238TO220download
H2S120H0201200V26A@Tc= 110℃1.52.348TO220download
H2S120A0101200V15A@Tc= 135℃1.421.956TO220download