上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围，最大额定电流40A，其中60A产品 bare die已经通过可靠性认证，SOT-227封装也已经量产，并可根据客户需求进行封装。MOSFET系列涵盖650V、1200V、1700V和3300V电压范围并都已经批量供应。目前，单管最小导通阻抗为30mΩ，其中20mΩ即将跟大家见面。已量产的JBS与Sic mosfet涵盖行业各种标准封装。截至2022年底，上海瀚薪的车规级碳化硅二极管、MOSFET累计出货量超3000万颗，其中MOSFET累计出货量1000万颗。在已通过技术认证完成批量导入的客户中也无任何质量召回情况，这也是得到客户青睐和行业认可的原因。

   同时，上海瀚薪满足客户全碳化硅模块定制化设计需求：电压平台650V、1200V、1700V、3300V四种，电流范围200A~1500A，这些定制化的需求对研发提出了更高的要求。我们秉承公司理念“专注于思、务实于行”来更好的服务客户，促进行业的发展。

1. 耐压高：临界击穿电场高达2MV/cm(4H-SiC)，因此具有更高的耐压能力(10倍于Si)。

2. 散热容易：由于SiC材料的热导率较高(是Si的三倍)，散热更容易，器件可工作在更高的环境温度下。理论上，SiC功率器件可在175℃结温下工作，因此散热器的体积可以显著减小。

3. 导通损耗和开关损耗低：SiC材料具有两倍于Si的电子饱和速度，使得SiC 器件具有极低的导通电阻(1/100 于Si)，导通损耗低；SiC 材料具有3倍于Si 的禁带宽度，泄漏电流比Si 器件减少了几个数量级，从而可以减少功率器件的功率损耗；关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，可大大提高实际应用的开关频率(10 倍于Si)。

4. 可以减小功率模块的体积：由于器件电流密度高(如Infineon 产品可达700A/cm)，在相同功率等级下，全SiC 功率模块(SiC MOSFETsSiC SBD)的封装尺寸显著小于Si IGBT 功率模块。

  上海瀚薪科技有限公司是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司。

  我们用独特的产品设计与制造能力，为我们的客户提供优质的宽禁带半导体产品解决方案，并计划在未来继续专注于设计与制造高性价比的新能源汽车、通信及其他工业类应用系统的核心半导体零部件。

      公司通过十多年的积累，已拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，产品广泛应用于新能源车的OBC/DC-DC/ 充电桩、光伏逆变器、通信电源、高端服务器电源、储能、工业电源、高铁、航天工业，已经取得和正在申请的国内外发明专利近50项，突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断，成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业。

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专注于思，务实于行